Чим обмежується використання напівпровідникових ОКГ (лазерів) і чому?

Вони аж ніяк не вважаються найгіршими і у них є ряд переваг, яких немає у інших лазерів. Наприклад, рекордний ККД, можливість модулювати випромінювання з високою швидкістю (гигагерци і навіть вище), компактність. Найбільш поширена конструкція лазерного діода (лазер з подвійною гетероструктур, резонатор якого утворений кристалом з плоскопараллельнимі сколеними гранями) без прийняття спеціальних заходів працює в многомодовом многочастотном режимі і дає нізкокогерентное широкосмугове випромінювання, але в одномодовом режимі забезпечує довжину когерентності, яку можна порівняти з газовими лазерами, правда, при значно меншій стабільності частоти. Унікальна компактність таких лазерів: у відсутності особливих вимог до когерентності (наприклад, для гравіювання) лазер з вихідною потужністю в 2-3 вата на 455 нм розміром в горошину і з споживанням в 6-7 Вт замінює аргоновий лазер вагою в 80 кілограмів, завдовжки півтора метра і вимагає для роботи декількох кіловат електроенергії і водяного охолодження.

Основною сферою застосування напівпровідникових лазерів зараз є телекомунікаційне обладнання: лазер служить передавачем в оптоволоконних лініях зв'язку. Напівпровідникові лазери використовуються в пристроях зчитування оптичних носіїв даних, в відеопроекторах, в верстатах для лазерної обробки (гравіювання і різання), в лазерних принтерах і пристроях фотовисновку, як джерело випромінювання для оптичного накачування твердотільних лазерів, в хіміко-аналітичній та іншому обладнанні.